第263章 工艺最高达到了45nm

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        通电之后，边上简陋的控制台屏幕慢慢启动着。

        整个机子，虽然没有漂亮的外观，但基本的部件是全了。

        七八个人守着，按照各自的分工安排，记录着数据情况。

        每一块部件、系统的功能，都需要保证能正常使用。

        试验人员拿着两块12寸的晶圆放了上去，设备操作师开始了操作。

        光刻过程中，需要人工的地方很少。

        在此之前，在旋涂机中已经旋涂了光刻胶，软烘后就等着光刻曝光了。

        激光通过激发，透过光罩，将上面的图形照射后进入了物镜，而后投射在了晶圆上面的光刻胶上。

        因为还是整机初步测试，江成并没有把浸没系统加上。

        光刻胶对深紫外线光非常敏感，照射后产生光分解反应，形成“沟壑”，而后通过显影、烘干等操作，就可以进行刻蚀了。

        试验的是一个简单的测试电路图形，在控制系统下，双工件台快速而又轻微的移动着，一块一块的曝光。

        一张12寸的晶圆，根据芯片die的尺寸不同，能够光刻不同数量的芯片。

        就如现在试验的，可以切出将近200枚。

        很快，在光罩上的图案光刻好了。

        试验人员取出晶圆，进行显影、烘干、刻蚀。

        期间还需要用掉不少的超纯水，用这些水，把晶圆上的杂质给清洗干净。

        有些无聊的光刻流程，但又是真的非常的神奇。

        通过光刻，将图案刻在了晶圆上，几十纳米线宽，不通过显微镜，根本看不到。

        而后再通过操作，让铜等金属在刻蚀的区域外延生长，做成了纳米级的电路。

        小小的一个芯片中，密密麻麻的布着电路。

        三个小时后，试验的晶圆好了，在此前每个步骤都有人员测试参数，这会儿更是开始了详细测试和验证。

        “……工艺最高达到了45nm！”虽然是蒙着嘴，但连广浩看着这检测仪器上的参数，兴奋的跳了起来！

        这还是干式光刻呢，如果通过浸没式的光刻呢，是不是能够突破28nm了？

        甚至通过多次曝光，达到更高的工艺？！

        连广浩这一句话，让场上的人顿时欢呼了起来！

        “真的吗？我们居然成功了

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