第214章 成俊兄毕业后考不考虑来我公司

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成俊停了下来，很认真地看着江成，心头纠结了会，最后点头道，“好。”

        “我记得你做的是石墨烯存储这一块吧？”两人继续往前，边走边聊。

        丁成俊道，“是，之前研究的，技术过于复杂，掺杂后的半导体材料有一定的存储能力，但成本和成效不成正比。”

        随后，顿了顿，又继续道，“我现在准备换一种思路，把这种办法用在闪存上，但陷入了死胡同。”

        江成道，“正好时间还早，要不，现在去你那项目看看？”

        “走吧。”丁成俊点点头，走在前头，随后又问，“你的毕业设计呢？”

        “上个月全在忙活别的事情，还没有确定选题呢，打算过年的时候定下，下学期花点时间整整。”江成随意地道。

        丁成俊有些不想说话。

        就不该多嘴问这一问。

        自己搞博士毕业论文设计，老早就选题、开题，甚至徐伟教授都不让他参与项目，由他全心全意整，但这会儿旁边这个小学弟，居然平平淡淡地说。

        过年时候想下选题，花点时间整下？

        于是丁成俊沈默向前。

        等到了微电子所丁成俊的实验室，在他的介绍之下，江成很快明白了是什么问题。

        丁成俊搞的选题，是一种基于氧化物-石墨烯薄膜堆叠的闪存制备方法。

        其中的研究方向和原理，与枫华微电子下属的闪存研究中心所研究的东西有些类似。

        但一些技术实现方法并不一样。

        他所选择的办法是，在衬底表面形成有多层交错堆叠的层间介质层（氧化物）及控制栅极层（石墨烯层），两层交叉层叠。

        由于石墨烯层非常的薄，只有30-50纳米，可以实现64甚至96层以上的堆叠。

        如此，存储容量将大为提升。

        不过，丁成俊这会儿遇上的问题是，他打算更换氧化物作介质层，但一直试验碰壁。

        趁这机会，江成将这些实验材料和实验设备一股脑全部模拟进入了体内超技术实验室。

        将目前丁成俊选择的各类氧化物一一试验了一番，感觉确实有些不尽如人意。

        “我估计就氧化钴、氧化硅层好一些吧。”江成又认真看了一下这些实验数据，开口道。

        “不错，但效果

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